A tecnologia Tri-Gate foi revelada pela empresa pela primeira vez em 2002 e representa uma mudança fundamental na estrutura dos transistores. "Os novos transistores 3D ajudarão a Intel a reduzir dramaticamente o consumo de energia e os custos por transistor ao mesmo tempo em que melhoram o desempenho", afirma Paul Otellini, Presidente e CEO da Intel.
É essa estrutura 3D que poderá dar continuidade ao ritmo da Lei de Moore (Gordon Moore, cofundador da Intel, disse que os transistores ficariam cada vez menores, mais baratos e mais eficientes no consumo de energia).
“Esse marco vai muito além do acompanhamento do ritmo da Lei de Moore. Os benefícios da baixa voltagem e do baixo consumo de energia ampliam em muito o que normalmente vemos com a transição de um processo tecnológico para o próximo. Esses benefícios darão aos designers de produtos a flexibilidade para tornar os atuais dispositivos mais inteligentes, além de criar outros inteiramente novos. Acreditamos que essa inovação ampliará ainda mais a liderança da Intel sobre o resto da indústria de semicondutores”.
Os transistores 3D possibilitam que os chips operem em voltagens menores e com menos perdas, fornecendo uma combinação de alto desempenho com eficiência no consumo de energia, se comparado ao melhor transistor da geração anterior. Essas capacidades dão aos projetistas de chips a flexibilidade para escolher transistores voltados para baixo e alto desempenho, dependendo da aplicação.
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